DSS20201L-7 Биполярный NPN транзистор SMT, монтаж, 20 В, BJT NPN транзистор

Производитель: Diodes Incorporated
Категория продукта: биполярный транзистор - биполярный транзистор (BJT)
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SOT-23-3
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Одиночный
Максимальный постоянный ток коллектора: 2 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 20 В
Напряжение коллектор-база VCBO: 20 В
Напряжение эмиттер-база VEBO: 6 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 100 мВ
Pd - рассеиваемая мощность: 600 мВт
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы ft: 150 МГц
Минимальная рабочая температура: -55 C
Максимальная рабочая температура: +150 C
Серия: DSS202
Упаковка: Катушка
Упаковка: Отрезок ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: Diodes Incorporated
Коэффициент усиления по постоянному току коллектор/база hfemin: 200 при 2 А, 2 В
Максимальный коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200 при 10 мА, 2 В
Высота: 1 мм
Длина: 2.9 мм
Тип продукта: BJT - Биполярные транзисторы
Подкатегория: Транзисторы
Ширина: 1.3 мм
Вес единицы: 8 мг

DSS20201L-7.pdf