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DSS20201L-7 Transistor Bipolare NPN Installazione SMT 20V BJT Transistor NPN

DSS20201L-7 Transistor Bipolare NPN Installazione SMT 20V BJT Transistor NPN

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: Diodes Incorporated
Numero di modello: DSS20201L-7
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3 Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari Peso unitario: 8 mg
Evidenziare:

DSS20201L-7 Transistor Bipolare NPN

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DSS20201L-7 Transistor BJT NPN

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Transistor Bipolare NPN 20V

Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 2 A
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 20 V
Tensione collettore-base VCBO: 20 V
Tensione emettitore-base VEBO: 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 100 mV
Pd - dissipazione di potenza: 600 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 150 MHz
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: DSS202
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Guadagno CC collettore/base hfemin: 200 a 2 A, 2 V
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 200 a 10 mA, 2 V
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,3 mm
Peso unitario: 8 mg

DSS20201L-7.pdf

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