| Luogo di origine: | Stati Uniti |
| Marca: | Diodes Incorporated |
| Numero di modello: | DSS20201L-7 |
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | USD 0.01-20/piece |
| Imballaggi particolari: | SMD/SMT |
| Tempi di consegna: | 5-8 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Prodotto: | Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) | Stile di installazione: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| Pacchetto/scatola: | SOT-23-3 | Incapsulazione: | Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse |
| Tipo di prodotto: | BJT - Transistor bipolari | Peso unitario: | 8 mg |
| Evidenziare: | DSS20201L-7 Transistor Bipolare NPN,DSS20201L-7 Transistor BJT NPN,Transistor Bipolare NPN 20V |
||
Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 2 A
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 20 V
Tensione collettore-base VCBO: 20 V
Tensione emettitore-base VEBO: 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 100 mV
Pd - dissipazione di potenza: 600 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 150 MHz
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: DSS202
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Guadagno CC collettore/base hfemin: 200 a 2 A, 2 V
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 200 a 10 mA, 2 V
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,3 mm
Peso unitario: 8 mg
Persona di contatto: Hefengxin
Telefono: +8613652326683