| Luogo di origine: | Stati Uniti |
| Marca: | Diodes Incorporated |
| Numero di modello: | BC848BW-7-F |
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | USD 0.01-20/piece |
| Imballaggi particolari: | SMD/SMT DO-214AC-2 |
| Tempi di consegna: | 5-8 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Prodotto: | Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) | Stile di installazione: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| Serie: | BC848B | Pacchetto/scatola: | SOT-323-3 |
| Incapsulazione: | Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse | Tipo di prodotto: | BJT - Transistor bipolari |
| Peso unitario: | 5 mg | ||
| Evidenziare: | BC848BW-7-F IC BJT,BC848BW-7-F transistor bipolare npn,IC BJT ad alta frequenza |
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Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-323-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore DC: 100mA
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 30 V
Tensione collettore-base VCBO: 30 V
Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 200 mV
Pd - dissipazione di potenza: 200mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 300MHz
Temperatura minima di esercizio: -65 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: BC848B
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Guadagno DC collettore/base hfemin: 200
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,2 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,35 mm
Peso unitario: 5 mg
Persona di contatto: Hefengxin
Telefono: +8613652326683