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BC848BW-7-F IC BJT ad alta frequenza, bassa tensione di saturazione, robusto

BC848BW-7-F IC BJT ad alta frequenza, bassa tensione di saturazione, robusto

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: Diodes Incorporated
Numero di modello: BC848BW-7-F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT DO-214AC-2
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Serie: BC848B Pacchetto/scatola: SOT-323-3
Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Peso unitario: 5 mg
Evidenziare:

BC848BW-7-F IC BJT

,

BC848BW-7-F transistor bipolare npn

,

IC BJT ad alta frequenza

Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-323-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore DC: 100mA
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 30 V
Tensione collettore-base VCBO: 30 V
Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 200 mV
Pd - dissipazione di potenza: 200mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 300MHz
Temperatura minima di esercizio: -65 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: BC848B
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Guadagno DC collettore/base hfemin: 200
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,2 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,35 mm
Peso unitario: 5 mg

BC848BW-7.pdf

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