BC848BW-7-F CI BJT Haute Fréquence Faible Tension de Saturation Robuste

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	BC848BW-7-F

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS DO-214AC-2
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Style d'installation:	SMD / SMT
Série:	BC848B	Package / boîte:	SOT-323-3
Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris	Type de produit:	BJT - Transistors bipolaires
Poids unitaire:	5mg
Mettre en évidence:	BC848BW-7-F CI BJT , BC848BW-7-F transistor bipolaire npn , CI BJT Haute Fréquence

Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-323-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 100 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 30 V
Tension collecteur-base VCBO : 30 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV
Pd - dissipation de puissance : 200 mW
Produit gain-bande passante ft : 300 MHz
Température de fonctionnement minimale : -65 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : BC848B
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Gain courant continu collecteur/base hFE min : 200
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,2 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,35 mm
Poids unitaire : 5 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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