DXTP07025BFG-7 Transistor à jonction bipolaire Pwr Mid Perf Transistor Configuration unique

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	DXTP07025BFG-7

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	SMD / SMT
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Type de produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Style d'installation:	SMD / SMT	Package / boîte:	PowerDI3333-8
Poids unitaire:	mg 30
Mettre en évidence:	DXTP07025BFG-7 Transistor à jonction bipolaire , DXTP07025BFG-7 Pwr Mid Perf Transistor , Transistor à jonction bipolaire à configuration unique

Transistor bipolaire - double fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : PowerDI3333-8
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximum : 3 A
Tension collecteur-émetteur maximum VCEO : 25 V
Tension collecteur-base VCBO : 35 V
Tension émetteur-base VEBO : 7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 164 mV
Pd - dissipation de puissance : 3,1 W
Produit gain-bande passante fT : 160 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +175 °C
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de ruban
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Courant continu du collecteur : -3 A
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 100
Gain en courant continu maximum hFE : 300
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Poids unitaire : 30 mg BJT

Produit Tag:

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Téléphone: +8613652326683

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