| Lieu d'origine: | Pays-Bas |
| Nom de marque: | Nexperia |
| Numéro de modèle: | BCP69T1G |
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | USD 0.01-20/piece |
| Détails d'emballage: | CMS/CMS SOT-223-3 |
| Délai de livraison: | 5-8 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Produit: | Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT) | Style d'installation: | SMD / SMT |
|---|---|---|---|
| Package / boîte: | SOT-223-3 | Encapsulation: | Bobine, ruban coupé, bobine de souris |
| Type de produit: | BJT - Transistors bipolaires | Poids unitaire: | 112 mg |
| Mettre en évidence: | BCP69T1G Transistor à jonction bipolaire,BCP69T1G transistor bjt,20V Transistor à jonction bipolaire |
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Fabricant : Nexperia
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-223-3
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 2 A
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 20 V
Tension collecteur-base VCBO : 32 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 600 mV
Pd - dissipation de puissance : 1,35 W
Produit gain-bande passante ft : 140 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Nexperia
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 160 à 500 mA, 1 V
Gain en courant continu maximal hFE : 160 à 500 mA, 1 V
Hauteur : 1,7 mm
Longueur : 6,7 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 3,7 mm
Alias de numéro de pièce : 933969390115
Poids unitaire : 112 mg
Personne à contacter: Hefengxin
Téléphone: +8613652326683