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Aperçu Produitstransistor à jonction bipolaire

BCP69T1G Transistor à jonction bipolaire SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

BCP69T1G Transistor à jonction bipolaire SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Pays-Bas
Nom de marque: Nexperia
Numéro de modèle: BCP69T1G
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-223-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT) Style d'installation: SMD / SMT
Package / boîte: SOT-223-3 Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit: BJT - Transistors bipolaires Poids unitaire: 112 mg
Mettre en évidence:

BCP69T1G Transistor à jonction bipolaire

,

BCP69T1G transistor bjt

,

20V Transistor à jonction bipolaire

Fabricant : Nexperia
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-223-3
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 2 A
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 20 V
Tension collecteur-base VCBO : 32 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 600 mV
Pd - dissipation de puissance : 1,35 W
Produit gain-bande passante ft : 140 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Nexperia
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 160 à 500 mA, 1 V
Gain en courant continu maximal hFE : 160 à 500 mA, 1 V
Hauteur : 1,7 mm
Longueur : 6,7 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 3,7 mm
Alias de numéro de pièce : 933969390115
Poids unitaire : 112 mg

BCP69-25.pdf

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