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Casa Produtostransistor de junção bipolar

BCP69T1G Transistor de Junção Bipolar SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

BCP69T1G Transistor de Junção Bipolar SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Países Baixos
Marca: Nexperia
Número do modelo: BCP69T1G
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem: SMD/SMT SOT-223-3
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Contato Converse agora
Descrição de produto detalhada
Produto: Transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT) Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-223-3 Encapsulamento: Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto: BJT - Transistores bipolares Peso unitário: 112mg
Destacar:

BCP69T1G Transistor de Junção Bipolar

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BCP69T1G transistor bjt

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Transistor de Junção Bipolar 20V

Fabricante: Nexperia
Categoria do produto: transistor bipolar - transistor de junção bipolar (BJT)
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-223-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Corrente máxima do coletor DC: 2 A
Tensão máxima coletor-emissor VCEO: 20 V
Tensão coletor-base VCBO: 32 V
Tensão emissor-base VEBO: 5 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 600 mV
Pd - dissipação de potência: 1,35 W
Produto de largura de banda de ganho ft: 140 MHz
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cutteta
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Nexperia
Ganho DC coletor/base hfemin: 160 a 500mA, 1 V
Ganho de corrente DC máximo hFE: 160 a 500 mA, 1 V
Altura: 1,7 mm
Comprimento: 6,7 mm
Tipo de produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 3,7 mm
Alias ​​do número da peça: 933969390115
Peso unitário: 112 mg

BCP69-25.pdf

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