2SA1162-GR,LF Transistor de Junção Bipolar Pnp 50V 80MHz 150MW

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	JAPÃO
Marca:	Toshiba
Número do modelo:	2SA1162-GR, SE

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT SC-59-3
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	Transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT)	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SC-59-3	Série:	2SA1162
Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel	Tipo de produto:	BJT - Transistores bipolares
Peso unitário:	magnésio 8
Destacar:	2SA1162-GR LF Transistor de Junção Bipolar Pnp , 50V 2SA1162-GR LF , Transistor de Junção Bipolar Pnp 50V

Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: transistor bipolar - transistor de junção bipolar (BJT)
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SC-59-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Corrente máxima do coletor DC: 150 mA
Tensão máxima coletor-emissor VCEO: 50 V
Tensão coletor-base VCBO: 50 V
Tensão emissor-base VEBO: 5 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 100 mV
Pd - dissipação de potência: 150 mW
Produto ganho-largura de banda fT: 80 MHz
Temperatura máxima de operação: +125c
Qualificação: AEC-Q101
Série: 2SA1162
Embalagem: Carretel
Embalagem: fita cortada
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Toshiba
Ganho DC coletor/base hfemin: 70
Ganho de corrente DC máximo hFE: 400
Tipo de produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Peso unitário: 8 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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