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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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2SA1162-GR,LF Pnp Bipolar-Junction-Transistor 50V 80MHz 150MW

2SA1162-GR,LF Pnp Bipolar-Junction-Transistor 50V 80MHz 150MW

2SA1162-GR,LF Pnp Bipolar Junction Transistor 50V 80MHz 150MW
2SA1162-GR,LF Pnp Bipolar Junction Transistor 50V 80MHz 150MW
Produktdetails:
Herkunftsort: JAPAN
Markenname: Toshiba
Modellnummer: 2SA1162-GR, WENN
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT SC-59-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT) Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: SC-59-3 Serie: 2SA1162
Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel Produkttyp: BJT - Bipolare Transistoren
Stückgewicht: mg 8
Hervorheben:

2SA1162-GR LF Pnp Bipolar-Junction-Transistor

,

50V 2SA1162-GR LF

,

50V Pnp Bipolar-Junction-Transistor

Hersteller: Toshiba
Produktkategorie: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT)
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SC-59-3
Transistorpolarität: PNP
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 150 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 50 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 100 mV
Pd - Verlustleistung: 150 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt fT: 80 MHz
Maximale Betriebstemperatur: +125 °C
Qualifizierung: AEC-Q101
Serie: 2SA1162
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Toshiba
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hfemin: 70
Maximaler Gleichstrom-Verstärkungsfaktor hFE: 400
Produkttyp: BJTs-Bipolartransistoren
Unterkategorie: Transistoren
Einheitsgewicht: 8 mg

2SA1162-GR.pdf

Größe und Tag:

Bipolartransistor,

Bipolartransistor (BJT),

Bipolartransistor (IC)

Kontaktdaten
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Ansprechpartner: Hefengxin

Telefon: +8613652326683

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