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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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BC848BW-7-F IC BJT High Frequency Low Saturation Voltage Robust

BC848BW-7-F IC BJT High Frequency Low Saturation Voltage Robust

BC848BW-7-F IC BJT High Frequency Low Saturation Voltage Robust
BC848BW-7-F IC BJT High Frequency Low Saturation Voltage Robust
Produktdetails:
Herkunftsort: Vereinigte Staaten
Markenname: Diodes Incorporated
Modellnummer: BC848BW-7-F
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT DO-214AC-2
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT) Installationsstil: SMD/SMT
Serie: BC848B Paket/Box: SOT-323-3
Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel Produkttyp: BJT - Bipolare Transistoren
Stückgewicht: 5mg
Hervorheben:

BC848BW-7-F IC BJT

,

BC848BW-7-F npn bipolar transistor

,

High Frequency IC BJT

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolar-Transistor-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-323-3
Transistorpolarität: NPN
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 100 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 30 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 200 mV
Pd - Verlustleistung: 200 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 300 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -65 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: BC848B
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hfemin: 200
Höhe: 1 mm
Länge: 2,2 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 1,35 mm
Einheitsgewicht: 5 mg

BC848BW-7.pdf

Größe und Tag:

Bipolartransistor,

Bipolartransistor (BJT),

Bipolartransistor (IC)

Kontaktdaten
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Ansprechpartner: Hefengxin

Telefon: +8613652326683

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