BC 848B E6327 NPN BIPOLAR Silizium AF TRANSISTOR Langlebig 100mA

Hersteller: Infineon
Produktkategorie: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT)
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: NPN
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 100 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 30 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 200 mV
Pd - Verlustleistung: 330 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 250 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -65 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: BC848
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Infineon Technologies
Dauer-Kollektorstrom: 100 mA
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hfemin: 200
Maximaler Gleichstromverstärkung hFE: 450
Höhe: 1 mm
Länge: 2,9 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolartransistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 1,3 mm
Teilenummer-Alias: sp000010561bc848be6327xtbc848be6327htsa1
Einheitsgewicht: 8 mg

BC848B E6327.pdf