DSS20201L-7 Bipolarer NPN-Transistor SMT-Installation 20V BJT NPN-Transistor

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolar-Transistor-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-23-3
Transistorpolarität: NPN
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 2 A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 20 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 100 mV
Pd - Verlustleistung: 600 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 150 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: DSS202
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hfemin: 200 bei 2 A, 2 V
Maximale Gleichstromverstärkung hFE: 200 bei 10 mA, 2 V
Höhe: 1 mm
Länge: 2,9 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 1,3 mm
Einheitsgewicht: 8 mg

DSS20201L-7.pdf