FMMT458QTA Bipolartransistor 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolar-Transistor-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-23-3
Transistorpolarität: NPN
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 225mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 400 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 7 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 500 mV
Pd - Verlustleistung: 500 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 50 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Qualifizierung: AEC-Q101
Serie: FMMT458
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Dauer-Kollektorstrom: 225mA
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hFEmin: 15
Maximaler Gleichstromverstärkung hFE: 300
Produkttyp: BJTs - Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Gewicht pro Einheit: 8 mg