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Aperçu Produitstransistor à jonction bipolaire

BC 848B E6327 TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN SILICIUM AF Durable 100mA

BC 848B E6327 TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN SILICIUM AF Durable 100mA

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Allemagne
Nom de marque: Infineon
Numéro de modèle: BC 848B E6327
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT) Style d'installation: SMD / SMT
Package / boîte: SOT-23-3 Série: 848 avant JC
Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Poids unitaire: mg 8
Mettre en évidence:

BC 848B E6327 NPN BIPOLAIRE

,

Bipolaire NPN Durable

,

Transistor BJT Durable

Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant collecteur continu maximum : 100 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 30 V
Tension collecteur-base VCBO : 30 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV
Pd - dissipation de puissance : 330 mW
Produit gain-bande passante ft : 250 MHz
Température de fonctionnement minimale : -65 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : BC848
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Infineon Technologies
Courant continu du collecteur : 100 mA
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 200
Gain en courant continu maximum hFE : 450
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,3 mm
Alias de numéro de pièce : sp000010561bc848be6327xtbc848be6327htsa1
Poids unitaire : 8 mg

BC848B E6327.pdf

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