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BC 848B E6327 NPN TRANSISTOR BIPOLARE al silicio AF Resistente 100ma

BC 848B E6327 NPN TRANSISTOR BIPOLARE al silicio AF Resistente 100ma

Dettagli:
Luogo di origine: Germania
Marca: Infineon
Numero di modello: BC848B E6327
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3 Serie: BC848
Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Peso unitario: 8 mg
Evidenziare:

BC 848B E6327 NPN BIPOLARE

,

BIPOLARE NPN Resistente

,

Transistor bjt resistente

Produttore: Infineon
Categoria prodotto: transistor bipolare - transistor a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 100 mA
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 30 V
Tensione collettore-base VCBO: 30 V
Tensione emettitore-base VEBO: 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 200 mV
Pd - dissipazione di potenza: 330 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 250 MHz
Temperatura minima di esercizio: -65 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: BC848
Confezione: Bobina
Confezione: Nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Infineon Technologies
Corrente continua del collettore: 100 mA
Guadagno CC collettore/base hfemin: 200
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 450
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,3 mm
Alias numero parte: sp000010561bc848be6327xtbc848be6327htsa1
Peso unitario: 8 mg

BC848B E6327.pdf

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