DXTP07025BFG-7 Transistor a Giunzione Bipolare Pwr Mid Perf Transistor Configurazione Singola

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	Diodes Incorporated
Numero di modello:	DXTP07025BFG-7

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Tipo di prodotto:	Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Stile di installazione:	SMD/SMT	Pacchetto/scatola:	PowerDI3333-8
Peso unitario:	30 mg
Evidenziare:	DXTP07025BFG-7 Transistor a Giunzione Bipolare , DXTP07025BFG-7 Pwr Mid Perf Transistor , Transistor a Giunzione Bipolare a Configurazione Singola

Transistor bipolare-produttore doppio: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: powerdi3333-8
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 3 A
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 25 V
Tensione collettore-base VCBO: 35 V
Tensione emettitore-base VEBO: 7 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 164 mV
Pd - dissipazione di potenza: 3,1 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 160 MHz
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +175 C
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Corrente continua del collettore: - 3 A
Guadagno CC collettore/base hfemin: 100
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 300
Tipo di prodotto: BJT-Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Peso unitario: 30 mg BJT

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse

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