| Nguồn gốc: | Hoa Kỳ |
| Hàng hiệu: | Diodes Incorporated |
| Số mô hình: | DXTP07025BFG-7 |
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
|---|---|
| Giá bán: | USD 0.01-20/piece |
| chi tiết đóng gói: | SMD/SMT |
| Thời gian giao hàng: | 5-8 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
| Loại sản phẩm: | Transistor lưỡng cực-transistor tiếp giáp lưỡng cực (BJT) | đóng gói: | Cuộn, Cắt băng, Cuộn chuột |
|---|---|---|---|
| Kiểu cài đặt: | SMD/SMT | Gói/hộp: | NguồnDI3333-8 |
| Trọng lượng đơn vị: | 30 mg | ||
| Làm nổi bật: | DXTP07025BFG-7 Bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực,DXTP07025BFG-7 Pwr Mid Perf Transistor,Bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực Cấu hình đơn |
||
Bipolar transistor - nhà sản xuất kép: Diodes Incorporated
Loại sản phẩm: transistor lưỡng cực - transistor tiếp giáp lưỡng cực (BJT)
Công nghệ: Si
Kiểu lắp: SMD/SMT
Gói/Vỏ: PowerDI3333-8
Phân cực transistor: PNP
Cấu hình: Đơn
Dòng điện cực thu DC tối đa: 3 A
Điện áp collector-emitter VCEO tối đa: 25 V
Điện áp collector-base VCBO: 35 V
Điện áp emitter-base VEBO: 7 V
Điện áp bão hòa collector-emitter: 164 mV
Pd - Tản điện: 3.1W
Tích số độ lợi băng thông fT: 160 MHz
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: +175 C
Gói: Reel
Gói: Cuttape
Đóng gói: MouseReel
Thương hiệu: Diodes Incorporated
Dòng điện liên tục collector: - 3 A
Độ lợi DC collector/base hfemin: 100
Độ lợi dòng điện DC tối đa hFE: 300
Loại sản phẩm: BJT - Transistor lưỡng cực
Danh mục con: Transistor
Khối lượng đơn vị: 30 mg BJT
Người liên hệ: Hefengxin
Tel: +8613652326683