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BCP69T1G Transistor a Giunzione Bipolare SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

BCP69T1G Transistor a Giunzione Bipolare SOT223 20V 2A PNP MEDPWR BJT

Dettagli:
Luogo di origine: Paesi Bassi
Marca: Nexperia
Numero di modello: BCP69T1G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-223-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-223-3 Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari Peso unitario: 112 mg
Evidenziare:

BCP69T1G Transistor a Giunzione Bipolare

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BCP69T1G transistor bjt

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Transistor a Giunzione Bipolare 20V

Produttore: Nexperia
Categoria prodotto: transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-223-3
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: Singolo
Corrente massima del collettore CC: 2 A
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 20 V
Tensione collettore-base VCBO: 32 V
Tensione base-emettitore VEBO: 5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 600 mV
Pd - dissipazione di potenza: 1,35 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 140 MHz
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Nexperia
Guadagno CC collettore/base hfemin: 160 a 500 mA, 1 V
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 160 a 500 mA, 1 V
Altezza: 1,7 mm
Lunghezza: 6,7 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 3,7 mm
Alias numero parte: 933969390115
Peso unitario: 112 mg

BCP69-25.pdf

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