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BC 848B E6327 NPN バイポーラ シリコン AF トランジスタ 耐久性 100mA

BC 848B E6327 NPN バイポーラ シリコン AF トランジスタ 耐久性 100mA

商品の詳細:
起源の場所: ドイツ
ブランド名: Infineon
モデル番号: BC 848B E6327
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT SOT-23-3
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: バイポーラ トランジスタ - バイポーラ接合トランジスタ (BJT) インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: SOT-23-3 シリーズ: BC848 年
カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール 製品タイプ: BJT - 双極トランジスタ
単重: 8 mg
ハイライト:

BC 848B E6327 NPN バイポーラ

,

耐久性 NPN バイポーラ

,

耐久性トランジスタ bjt

メーカー: Infineon
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ - バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
テクノロジー: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-23-3
トランジスタ極性: NPN
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 100mA
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 30 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 30 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 6 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 200 mV
Pd - 消費電力: 330 mW
ゲイン帯域幅積 ft: 250MHz
最小動作温度: -65 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: BC848
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
エンキャプシュレーション: MouseReel
商標: Infineon Technologies
コレクタ連続電流: 100 mA
DCコレクタ/ベースゲイン hfemin: 200
最大DC電流ゲイン hFE: 450
高さ: 1 mm
長さ: 2.9 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 1.3 mm
部品番号エイリアス: sp000010561bc848be6327xtbc848be6327htsa1
ユニット重量: 8 mg

BC848B E6327.pdf

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