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BC848BW-7-F IC BJT 高周波 低飽和電圧 ロバスト

BC848BW-7-F IC BJT 高周波 低飽和電圧 ロバスト

商品の詳細:
起源の場所: 米国
ブランド名: Diodes Incorporated
モデル番号: BC848BW-7-F
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT DO-214AC-2
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: バイポーラ トランジスタ - バイポーラ接合トランジスタ (BJT) インストールスタイル: SMD/SMT
シリーズ: BC848B パッケージ/ボックス: SOT-323-3
カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール 製品タイプ: BJT - 双極トランジスタ
単重: 5mg
ハイライト:

BC848BW-7-F IC BJT

,

BC848BW-7-F npnバイポーラトランジスタ

,

高周波IC BJT

メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-323-3
トランジスタ極性: NPN
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 100mA
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 30 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 30 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 5 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 200 mV
Pd - 消費電力: 200mW
ゲイン帯域幅積 ft: 300MHz
最小動作温度: -65 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: BC848B
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
梱包: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
DCコレクタ/ベースゲイン hFEmin: 200
高さ: 1 mm
長さ: 2.2 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 1.35 mm
単位重量: 5 mg

BC848BW-7.pdf

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