شنتشن هيفينغشين للتكنولوجيا المحدودة
 |
| مكان المنشأ: | الولايات المتحدة |
| اسم العلامة التجارية: | Diodes Incorporated |
| رقم الموديل: | BC848BW-7-F |
| الحد الأدنى لكمية: | 1 |
|---|---|
| الأسعار: | USD 0.01-20/piece |
| تفاصيل التغليف: | سمد/سمت DO-214AC-2 |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام عمل |
| شروط الدفع: | تي/تي |
| منتج: | ترانزستور ثنائي القطب - ترانزستور ثنائي القطب (BJT) | نمط التثبيت: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| مسلسل: | BC848B | حزمة/مربع: | SOT-323-3 |
| التغليف: | بكرة، شريط قص، بكرة الماوس | نوع المنتج: | BJTs - الترانزستورات ثنائية القطب |
| وزن الوحدة: | 5 مجم | ||
| إبراز: | BC848BW-7-F دائرة متكاملة (IC) BJT,BC848BW-7-F ترانزستور ثنائي القطب npn,دائرة متكاملة (IC) BJT عالية التردد,BC848BW-7-F npn bipolar transistor,High Frequency IC BJT |
||
الشركة المصنعة: Diodes Incorporated
فئة المنتج: ترانزستور ثنائي القطب - ترانزستور وصلة ثنائية القطب (BJT)
التقنية: سيليكون (Si)
أسلوب التركيب: SMD/SMT
العبوة/الصندوق: SOT-323-3
قطبية الترانزستور: NPN
التكوين: فردي
الحد الأقصى لتيار المجمع المستمر: 100 مللي أمبير
الحد الأقصى لجهد المجمع-الباعث VCEO: 30 فولت
جهد المجمع-القاعدة VCBO: 30 فولت
جهد الباعث-القاعدة VEBO: 5 فولت
جهد التشبع للمجمع-الباعث: 200 مللي فولت
تبدد الطاقة Pd: 200 مللي واط
حاصل ضرب عرض النطاق الترددي للمكسب ft: 300 ميجاهرتز
درجة حرارة التشغيل الدنيا: -65 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل القصوى: +150 درجة مئوية
السلسلة: BC848B
العبوة: بكرة
العبوة: شريط مقطوع
التغليف: MouseReel
العلامة التجارية: Diodes Incorporated
كسب القاعدة/المجمع DC hfemin: 200
الارتفاع: 1 مم
الطول: 2.2 مم
نوع المنتج: BJTs - ترانزستورات ثنائية القطب
الفئة الفرعية: الترانزستورات
العرض: 1.35 مم
وزن الوحدة: 5 مجم
اتصل شخص: Hefengxin
الهاتف :: +8613652326683
