BC848BW-7-F CI BJT Alta Frequência Baixa Tensão de Saturação Robusta

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Estados Unidos
Marca:	Diodes Incorporated
Número do modelo:	BC848BW-7-F

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT DO-214AC-2
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	Transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT)	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Série:	BC848B	Pacote/caixa:	SOT-323-3
Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel	Tipo de produto:	BJT - Transistores bipolares
Peso unitário:	5mg
Destacar:	BC848BW-7-F CI BJT , BC848BW-7-F transistor bipolar npn , CI BJT de Alta Frequência

Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: transistor bipolar - transistor de junção bipolar (BJT)
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-323-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente máxima do coletor DC: 100mA
Tensão máxima coletor-emissor VCEO: 30 V
Tensão coletor-base VCBO: 30 V
Tensão emissor-base VEBO: 5 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 200 mV
Pd - dissipação de potência: 200mW
Produto ganho-largura de banda ft: 300MHz
Temperatura mínima de operação: -65 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Série: BC848B
Embalagem: Carretel
Embalagem: cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Diodes Incorporated
Ganho DC coletor/base hfemin: 200
Altura: 1 mm
Comprimento: 2,2 mm
Tipo de produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 1,35 mm
Peso unitário: 5 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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