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Aperçu Produitstransistor à jonction bipolaire

BCP69T1G 1A 20V PNP Bjt Transistor Bipolar Bjt High Performance

BCP69T1G 1A 20V PNP Bjt Transistor Bipolar Bjt High Performance

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: onsemi
Numéro de modèle: BCP69T1G
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-223-4
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Petite diode de commutation de signal Style d'installation: SMD / SMT
Package / boîte: SOT-223-4 Série: BCP69
Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Poids unitaire: 112 mg
Mettre en évidence:

BCP69T1G PNP Bjt

,

BCP69T1G Transistor Bipolar Bjt

,

High Performance PNP Bjt

Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-223-4
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximum : 1 A
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 20 V
Tension collecteur-base VCBO : 25 V
Tension base-émetteur VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - dissipation de puissance : 1,5 W
Produit gain-bande passante fT : 60 MHz
Température de fonctionnement minimale : -65 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : BCP69
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : onsemi
Courant continu du collecteur : -1 A
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 50
Hauteur : 1,57 mm
Longueur : 6,5 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 3,5 mm
Poids unitaire : 112 mg

BCP69T1G.pdf

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