โทร:
พูดคุยกันตอนนี้
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

บริษัท เซินเจิ้น เหอเฟิงซิน เทคโนโลยี จำกัด

บ้าน ผลิตภัณฑ์

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ไอซีวงจรรวม (201)
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)
ยืนยันแผ่นหนา (29)
ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)
ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)
ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)
ไดโอด สกปรก Rectifier (103)
ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)
อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)
ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)
ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805
C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805
C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.
C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.
HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน
HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน
VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%
VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%
VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%
VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%
1 2 3 4 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)
CL21F475ZPFNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 4.7UF-20,+80% 10VY50805
Video

CL21F475ZPFNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 4.7UF-20,+80% 10VY50805
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 4.7 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 10 VDC ไดอิเล็กทริก: Y5V ความคลาดเคลื่อน: -20%, +80% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0805 ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
GRM21B2C1H622JA01L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

GRM21B2C1H622JA01L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 6200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: ch ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-in: 0805 รหัสตัวถัง-mm: 2012 ความยาว: 2 ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
0201ZG222ZAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM03AV51A 2222ZH New Global PN 10V2.2UFA581-KGM03AV51A 22222ZH
Video

0201ZG222ZAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM03AV51A 2222ZH New Global PN 10V2.2UFA581-KGM03AV51A 22222ZH
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 2200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 10 VDC ไดอิเล็กทริก: Y5V ความคลาดเคลื่อน: -20%, +80% รหัสตัวถัง-in: 0201 รหัสตัวถัง-mm: ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
1812WA221JAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

1812WA221JAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 220 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 2.5 kVDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1812 รหัสตัวถัง-มม.: ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
CL31B105MOFNNWE ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL31B105MOFNNWE ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 16 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก-in: 1206 รหัสเปลือก... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
CL10B561KC8WPNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL10B561KC8WPNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 560 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัว... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
GRT1885C2A221JA02D ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220PF 100VDC 5% 0603C0G (NP0) AEC-Q200
Video

GRT1885C2A221JA02D ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220PF 100VDC 5% 0603C0G (NP0) AEC-Q200
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 220 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก-in: 0603 รหัสเปลือก-mm: 1608 ประเภท... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
CL31A226MPHNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT22UF+/-20% 10X5R3 1206
Video

CL31A226MPHNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT22UF+/-20% 10X5R3 1206
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 22 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 10 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1206 รหัสตัวถั... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
CL21B222JBANNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/smt 2.2nf +/-5% 50X7R20805
Video

CL21B222JBANNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/smt 2.2nf +/-5% 50X7R20805
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 2200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก-in: 0805 รหัสเปลือก... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
0402ZC223KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 05ar71a223kh New Global PN 10V0.022ua581-KGM 05ar71a223kh
Video

0402ZC223KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 05ar71a223kh New Global PN 10V0.022ua581-KGM 05ar71a223kh
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.022 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 10 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0402 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:22
Page 46 of 84|< 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 >|
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
9D, ชั้น 9, อาคาร A, Modern Window, ถนน Huaqiang North, เขต Futian, เซินเจิ้น
โทร:0755-23933424
นโยบายความเป็นส่วนตัว ｜ ประเทศจีน ดี คุณภาพ ไอซีวงจรรวม ผู้ผลิต. © 2025 Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.. All Rights Reserved.