ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ไอซีวงจรรวม (201)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)

ยืนยันแผ่นหนา (29)

ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)

ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)

ไดโอด สกปรก Rectifier (103)

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)

อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)

ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)

ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805

C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.

HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน

VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%

VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%

1 2 3 4 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)

Video

0603YC105KAT4A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 16V1UFX7R0603 10% A581-0603YC105Kat2A
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 16 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัวถัง-มม.: 1608 ชนิดกา... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

1206DD106KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 31HR51V106Ku New Global PN 35V10UFX A581-KGM 31HR51V106Ku
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 10 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 35 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1206 รหัสเปลือก - มม.: 3216 ป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

3640AA331JAT9A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1kv330pfC0g3640 5% Tolhv
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 330 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 1 kVDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก - นิ้ว: 3640 (กลับด้าน) รหัสเปล... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

1808CC332MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 42br72J332My New Global PN 630V300Pa581-KGM 42br72J332My
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 3300 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 600VDC, 630VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1808 รหัสตัวถัง-มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

3640AC104ZAT3A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1kV.1UFX7R3640.01PFTOL HV
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 1 kVDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: -20%, +80% รหัสเปลือก - นิ้ว: 3640 (กลับด้าน) รหัสเ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

02014D224MA72A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ชิปเชิงพาณิชย์ hicv ญี่ปุ่น-fn
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.22 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 4 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-in: 0201 รหัสตัวถัง-mm: 0603 อุณหภูม... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

CL03A474MR3NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 470NF +/-20% 4X5R0603
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.47 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 4 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก-นิ้ว: 0201 รหัสเปลื... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

GCG1885G1H561JA01J ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 560PF 50VDC 5% 0603x8g AEC-Q200
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 560 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: X8G ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0603 รหัสเปลือก - มม.: 1608 ประ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

UMK105CG180JVHF ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT963-MCASU105CG180JFRPL CMT PN50V18PFC0G0402 5% AEC-Q200
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: TAIYO YUDEN หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 18 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-in: 0402 รหัสตัวถัง-mm: 1005 ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Video

CL10CR75CB8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 0.75pf+/-0.25pf 50C0G1608
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.75 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 0.25 pF รหัสตัวถัง: 0603 รห... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:22

Page 48 of 84|< << 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 >> >|