SDRAM - หน่วยความจำ DDR IC MT46V16M16P-5B:M 256Mbit ขนาน 200 MHz 700 Ps 66-TSOP ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์

SDRAM - หน่วยความจำ DDR IC MT46V16M16P-5B:M 256Mbit ขนาน 200 MHz 700 Ps 66-TSOP ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์

รายละเอียดสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน MT46V16M16P-5B:M ผลิตโดย Micron Technology Inc และจัดจำหน่ายโดย Stjkในฐานะหนึ่งในผู้จัดจำหน่ายผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ชั้นนำ เรามีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มากมายจากผู้ผลิตชั้นนำของโลก

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MT46V16M16P-5B:M ข้อกำหนดโดยละเอียด ใบเสนอราคา ระยะเวลาดำเนินการ เงื่อนไขการชำระเงิน และอื่นๆ โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเราเพื่อดำเนินการกับคำถามของคุณ โปรดเพิ่มจำนวน MT46V16M16P-5B:M ในข้อความของคุณส่งอีเมลไปที่ stjkelec@hotmail.com เพื่อขอใบเสนอราคาตอนนี้

คุณสมบัติ

• VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V

VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400)1

• แฟลชข้อมูลแบบสองทิศทาง (DQS) ที่ส่ง/

รับกับข้อมูล นั่นคือ ข้อมูลแบบซิงโครนัสต้นทาง

การจับภาพ (x16 มีสอง - หนึ่งต่อไบต์)

• อัตราข้อมูลสองเท่าภายในไปป์ไลน์ (DDR)

สถาปัตยกรรม;การเข้าถึงข้อมูลสองครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา

• อินพุตสัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียล (CK และ CK#)

• คำสั่งที่ป้อนในแต่ละขอบ CK ที่เป็นบวก

• DQS edge-aligned กับข้อมูลสำหรับ READs;จัดกึ่งกลางกับข้อมูลสำหรับ WRITEs

• DLL เพื่อจัดการเปลี่ยน DQ และ DQS ให้ตรงกับ CK

• สี่ธนาคารภายในสำหรับการดำเนินการพร้อมกัน

• มาสก์ข้อมูล (DM) สำหรับการปกปิดข้อมูลการเขียน

(x16 มีสอง – หนึ่งต่อไบต์)

• ความยาวต่อเนื่องที่ตั้งโปรแกรมได้ (BL): 2, 4 หรือ 8

• รีเฟรชอัตโนมัติ

– 64ms, 8192 รอบ (AIT)

– 16ms, 8192 รอบ (AAT)

• รีเฟรชตัวเอง (ไม่มีในอุปกรณ์ AAT)

• TSOP ที่นำไปสู่อีกต่อไปเพื่อความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้น (OCPL)

• 2.5VI/O (เข้ากันได้กับ SSTL_2)

• รองรับตัวเลือกการเติมเงินอัตโนมัติพร้อมกัน

• ที

รองรับการล็อค RAS (t

แร็พ = ท

RCD)

• เออีซี-คิว100

• การส่ง PPAP

• เวลาตอบสนอง 8D