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SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B della RDT: Parallelo di m. 256Mbit 200 megahertz 700 chip elettronico di Ps 66-TSOP IC

SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B della RDT: Parallelo di m. 256Mbit 200 megahertz 700 chip elettronico di Ps 66-TSOP IC

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SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B della RDT: Parallelo di m. 256Mbit 200 megahertz 700 chip elettronico di Ps 66-TSOP IC
Dettagli:
Marca: Micron Technology Inc.
Certificazione: ISO9001
Numero di modello: MT46V16M16P-5B:M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: >=1pcs
Prezzo: request for need
Imballaggi particolari: Digi-bobina) TR (del nastro del taglio della bobina & del nastro (CT)
Tempi di consegna: 2-3Days
Termini di pagamento: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacità di alimentazione: 100000 San Giovanni d'Acri/acri per Day+pcs+1-2days
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Descrizione: IC DRAM 256MBIT PARALLELO 66TSOP Montaggio del tipo: Supporto di superficie
Temperatura di funzionamento: 0°C ~ 70°C Pacchetto/caso: 66-TSSOP
Tensione - rifornimento: 2,5 V ~ 2,7 V Tipo: Volatile
Capacità di memoria: 256 MB Stato del prodotto: Attivo
Numero del prodotto di base: MT46V16M16

SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B della RDT: Parallelo di m. 256Mbit 200 megahertz 700 chip elettronico di Ps 66-TSOP IC

DESCRIZIONE DI PRODOTTO

Numero del pezzo MT46V16M16P-5B: La m. è fabbricata dalla tecnologia inc del micron e si distribuisce da Stjk. Come uno dei distributori commerciali principali dei prodotti elettronici, portiamo molti componenti elettronici dai produttori superiori del mondo.

Per ulteriori informazioni su MT46V16M16P-5B: Le specifiche dettagliate di m., citazioni, i termini d'esecuzione, termini di pagamento e più, non esiti prego a contattarci. Per elaborare la vostra indagine, aggiunga prego la quantità MT46V16M16P-5B: M. al vostro messaggio. Ora invii un email a stjkelec@hotmail.com per una citazione.

Caratteristiche

• VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V

VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400) 1

• Stroboscopio bidirezionale di dati (DQS) trasmesso

ricevuto con i dati, cioè, dati fonte-sincroni

bloccaggio (x16 ha due – uno per byte)

• Doppio dato ordine interna e canalizzata (la RDT)

architettura; due accessi ai dati per ciclo di clock

• Input di orologio differenziale (le CK e CK#)

• I comandi sono entrato su ogni bordo positivo delle CK

• DQS bordo-ha allineato con i dati per READs; centeraligned con i dati per WRITEs

• DLL per allineare le transizioni di DQS e di DQ con le CK

• Quattro banche interne per l'operazione simultanea

• La maschera di dati (dm) per il mascheramento redige i dati

(x16 ha due – uno per byte)

• Lunghezze scoppiate programmabili (BL): 2, 4, o 8

• L'auto rinfresca

– 64ms, 8192 ciclo (AIT)

– 16ms, 8192 ciclo (AAT)

• L'auto rinfresca (non disponibile sui dispositivi di AAT)

• Lungo-cavo TSOP per affidabilità migliore (OCPL)

• 2.5V ingresso/uscita (SSTL_2-compatible)

• L'opzione automatica concorrente di precarica ha sostenuto

• t

Serrata di RAS di sostegno (t

RAP = t

RCD)

• AEC-Q100

• Presentazione di PPAP

• tempo di reazione 8D

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Dettagli di contatto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona di contatto: Tom Guo

Telefono: +8613822899993

Invia la tua richiesta direttamente a noi
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