SDRAM - IC bộ nhớ DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Parallel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Chip IC điện tử

SDRAM - IC bộ nhớ DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Parallel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Chip IC điện tử

MÔ TẢ SẢN PHẨM

Số bộ phận MT46V16M16P-5B:M được sản xuất bởi Micron Technology Inc và được phân phối bởi Stjk.Là một trong những nhà phân phối hàng đầu các sản phẩm điện tử, chúng tôi mang theo nhiều linh kiện điện tử từ các nhà sản xuất hàng đầu thế giới.

Để biết thêm thông tin về MT46V16M16P-5B:M thông số kỹ thuật chi tiết, báo giá, thời gian giao hàng, điều khoản thanh toán, v.v., vui lòng liên hệ với chúng tôi.Để xử lý yêu cầu của bạn, vui lòng thêm số lượng MT46V16M16P-5B:M vào tin nhắn của bạn.Gửi email đến stjkelec@hotmail.com để nhận báo giá ngay bây giờ.

Đặc trưng

• VDD = 2,5V ±0,2V, VDDQ = 2,5V ±0,2V

VDD = 2,6V ±0,1V, VDDQ = 2,6V ±0,1V (DDR400)1

• Truyền dữ liệu nhấp nháy hai chiều (DQS)/

nhận được cùng với dữ liệu, nghĩa là dữ liệu đồng bộ nguồn

chụp (x16 có hai - một trên mỗi byte)

• Tốc độ dữ liệu kép nội bộ, theo đường ống (DDR)

ngành kiến ​​​​trúc;hai lần truy cập dữ liệu trên mỗi chu kỳ đồng hồ

• Đầu vào đồng hồ vi sai (CK và CK#)

• Lệnh nhập trên mỗi cạnh CK dương

• DQS edge-aligned với dữ liệu cho READs;căn giữa với dữ liệu cho WRITE

• DLL để căn chỉnh chuyển tiếp DQ và DQS với CK

• Bốn ngân hàng nội bộ hoạt động đồng thời

• Mặt nạ dữ liệu (DM) để che dữ liệu ghi

(x16 có hai – một trên mỗi byte)

• Độ dài cụm có thể lập trình (BL): 2, 4 hoặc 8

• Tự động làm mới

– 64ms, 8192 chu kỳ (AIT)

– 16ms, 8192 chu kỳ (AAT)

• Tự làm mới (không khả dụng trên thiết bị AAT)

• TSOP dài hơn để cải thiện độ tin cậy (OCPL)

• 2.5VI/O (tương thích với SSTL_2)

• Hỗ trợ tùy chọn nạp tiền tự động đồng thời

• t

Hỗ trợ khóa RAS (t

RAP = t

RCĐ)

• AEC-Q100

• Đệ trình PPAP

• Thời gian phản hồi 8D