SDRAM - آی سی حافظه DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit موازی 200 مگاهرتز 700 Ps تراشه آی سی الکترونیکی 66-TSOP

SDRAM - آی سی حافظه DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit موازی 200 مگاهرتز 700 Ps تراشه آی سی الکترونیکی 66-TSOP

توضیحات محصول

شماره قطعه MT46V16M16P-5B:M توسط Micron Technology Inc تولید و توسط Stjk توزیع شده است.ما به عنوان یکی از توزیع کنندگان پیشرو محصولات الکترونیکی، بسیاری از قطعات الکترونیکی را از تولید کنندگان برتر جهان حمل می کنیم.

برای اطلاعات بیشتر در مورد مشخصات دقیق MT46V16M16P-5B:M، قیمت‌ها، زمان تحویل، شرایط پرداخت و موارد دیگر، لطفاً با ما تماس بگیرید.به منظور پردازش درخواست شما، لطفاً مقدار MT46V16M16P-5B:M را به پیام خود اضافه کنید.اکنون برای دریافت قیمت به stjkelec@hotmail.com ایمیل بفرستید.

امکانات

• VDD = 2.5 ولت ± 0.2 ولت، VDDQ = 2.5 ولت ± 0.2 ولت

VDD = 2.6V ±0.1V، VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400)1

• بارق داده دو طرفه (DQS) ارسال شده/

دریافت با داده، یعنی داده های همزمان منبع

ضبط (x16 دارای دو – یک در هر بایت است)

• نرخ داده دوگانه داخلی و خط لوله (DDR)

معماری؛دو دسترسی به داده در هر سیکل ساعت

• ورودی های ساعت دیفرانسیل (CK و CK#)

• دستورات وارد شده در هر لبه CK مثبت

• DQS لبه تراز با داده ها برای READ.با داده های WRITE تراز مرکزی شده است

• DLL برای تراز کردن انتقالات DQ و DQS با CK

• چهار بانک داخلی برای عملیات همزمان

• ماسک داده (DM) برای پوشاندن داده های نوشتن

(x16 دارای دو – یک در هر بایت است)

• طول های انفجاری قابل برنامه ریزی (BL): 2، 4، یا 8

• به روز رسانی خودکار

– ۶۴ میلی‌ثانیه، چرخه ۸۱۹۲ (AIT)

– ۱۶ میلی‌ثانیه، چرخه ۸۱۹۲ (AAT)

• خود به‌روزرسانی (در دستگاه‌های AAT موجود نیست)

• TSOP طولانی‌تر برای قابلیت اطمینان بهبود یافته (OCPL)

• 2.5VI/O (سازگار با SSTL_2)

• گزینه پیش شارژ خودکار همزمان پشتیبانی می شود

• تی

پشتیبانی از قفل RAS (t

RAP = t

RCD)

• AEC-Q100

• ارسال PPAP

• زمان پاسخ 8 بعدی