SDRAM - DDR Bellek IC MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Paralel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Elektronik IC Chip

SDRAM - DDR Bellek IC MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Paralel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Elektronik IC Chip

ÜRÜN AÇIKLAMASI

Parça numarası MT46V16M16P-5B:M, Micron Technology Inc tarafından üretilir ve Stjk tarafından dağıtılır.Elektronik ürünlerin önde gelen distribütörlerinden biri olarak, dünyanın önde gelen üreticilerinden birçok elektronik bileşen taşıyoruz.

MT46V16M16P-5B:M hakkında daha fazla bilgi için ayrıntılı özellikler, teklifler, teslimat süreleri, ödeme koşulları ve daha fazlası için lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.Talebinizin işleme alınabilmesi için lütfen mesajınıza MT46V16M16P-5B:M miktarını ekleyiniz.Şimdi fiyat teklifi için stjkelec@hotmail.com adresine bir e-posta gönderin.

Özellikler

• VDD = 2,5V ±0,2V, VDDQ = 2,5V ±0,2V

VDD = 2,6V ±0,1V, VDDQ = 2,6V ±0,1V (DDR400)1

• Çift yönlü veri flaşı (DQS) iletildi/

verilerle, yani kaynakla senkronize verilerle alındı

yakalama (x16'da iki - bayt başına bir)

• Dahili, boru hatlı çift veri hızı (DDR)

mimari;saat döngüsü başına iki veri erişimi

• Diferansiyel saat girişleri (CK ve CK#)

• Her pozitif CK kenarına girilen komutlar

• DQS, READ'ler için verilerle hizalanmıştır;WRITE'lar için verilerle merkezlenmiş

• DQ ve DQS geçişlerini CK ile hizalamak için DLL

• Eşzamanlı çalışma için dört dahili sıra

• Yazma verilerini maskelemek için veri maskesi (DM)

(x16'da iki - bayt başına bir)

• Programlanabilir patlama uzunlukları (BL): 2, 4 veya 8

• Otomatik yenileme

– 64ms, 8192 döngü(AIT)

– 16ms, 8192 döngü (AAT)

• Kendini yenileme (AAT cihazlarında mevcut değildir)

• Geliştirilmiş güvenilirlik için daha uzun süreli TSOP (OCPL)

• 2,5VI/O (SSTL_2 uyumlu)

• Eşzamanlı otomatik ön şarj seçeneği desteklenir

• t

RAS kilitleme desteklenir (t

RAP = t

RCD)

• AEC-Q100

• PPAP sunumu

• 8D yanıt süresi