SDRAM - IC Memori DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Paralel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Chip IC Elektronik

SDRAM - IC Memori DDR MT46V16M16P-5B:M 256Mbit Paralel 200 MHz 700 Ps 66-TSOP Chip IC Elektronik

DESKRIPSI PRODUK

Nomor komponen MT46V16M16P-5B:M diproduksi oleh Micron Technology Inc dan didistribusikan oleh Stjk.Sebagai salah satu distributor produk elektronik terkemuka, kami membawa banyak komponen elektronik dari pabrikan top dunia.

Untuk informasi lebih lanjut tentang MT46V16M16P-5B:M spesifikasi rinci, kutipan, lead time, syarat pembayaran dan banyak lagi, jangan ragu untuk menghubungi kami.Untuk memproses pertanyaan Anda, harap tambahkan jumlah MT46V16M16P-5B:M ke pesan Anda.Kirim email ke stjkelec@hotmail.com untuk penawaran sekarang.

Fitur

• VDD = 2,5V ±0,2V, VDDQ = 2,5V ±0,2V

VDD = 2,6V ±0,1V, VDDQ = 2,6V ±0,1V (DDR400)1

• Strobo data dua arah (DQS) ditransmisikan/

diterima dengan data, yaitu data sumber-sinkron

tangkap (x16 memiliki dua – satu per byte)

• Internal, kecepatan data ganda (DDR) pipelined

Arsitektur;dua akses data per siklus clock

• Input jam diferensial (CK dan CK#)

• Perintah dimasukkan pada setiap tepi CK positif

• DQS selaras tepi dengan data untuk BACA;disejajarkan dengan data untuk WRITE

• DLL untuk menyelaraskan transisi DQ dan DQS dengan CK

• Empat bank internal untuk operasi bersamaan

• Data mask (DM) untuk menutupi data tulis

(x16 memiliki dua – satu per byte)

• Panjang burst yang dapat diprogram (BL): 2, 4, atau 8

• Penyegaran otomatis

– 64ms, 8192-siklus (AIT)

– 16ms, 8192-siklus (AAT)

• Penyegaran otomatis (tidak tersedia di perangkat AAT)

• TSOP jangka panjang untuk keandalan yang lebih baik (OCPL)

• 2.5VI/O (kompatibel dengan SSTL_2)

• Mendukung opsi precharge otomatis bersamaan

• t

Penguncian RAS didukung (mis

RAP = t

RCD)

• AEC-Q100

• Pengajuan PPAP

• Waktu respons 8D