SDRAM - DDR Memory IC MT46V16M16P-5B: M 256Mbit متوازي 200 ميجا هرتز 700 Ps 66-TSOP رقاقة إلكترونية إلكترونية

SDRAM - DDR Memory IC MT46V16M16P-5B: M 256Mbit متوازي 200 ميجا هرتز 700 Ps 66-TSOP رقاقة إلكترونية إلكترونية

وصف المنتج

رقم الجزء MT46V16M16P-5B: M يتم تصنيعه بواسطة Micron Technology Inc وتوزيعه بواسطة Stjk.بصفتنا أحد الموزعين الرائدين للمنتجات الإلكترونية ، فإننا نحمل العديد من المكونات الإلكترونية من أفضل الشركات المصنعة في العالم.

لمزيد من المعلومات حول MT46V16M16P-5B: المواصفات التفصيلية ، وعروض الأسعار ، والمهل الزمنية ، وشروط الدفع والمزيد ، لا تترددوا في الاتصال بنا.من أجل معالجة استفسارك ، يرجى إضافة الكمية MT46V16M16P-5B: M إلى رسالتك.إرسال بريد إلكتروني إلى stjkelec@hotmail.com للحصول على عرض أسعار الآن.

سمات

• VDD = 2.5V ± 0.2V ، VDDQ = 2.5V ± 0.2V

VDD = 2.6V ± 0.1V ، VDDQ = 2.6V ± 0.1V (DDR400) 1

• نقل البيانات القوية ثنائية الاتجاه (DQS) /

المتلقاة مع البيانات ، أي بيانات المصدر المتزامنة

الالتقاط (x16 له اثنان - واحد لكل بايت)

• معدل البيانات المزدوجة الداخلية (DDR)

هندسة معمارية؛وصول اثنين من البيانات لكل دورة على مدار الساعة

• مدخلات الساعة التفاضلية (CK و CK #)

• يتم إدخال الأوامر على كل حافة CK موجبة

• DQS محاذاة الحافة مع البيانات للقراءات.مركزي مع بيانات للكتابات

• DLL لمحاذاة انتقالات DQ و DQS مع CK

• أربعة بنوك داخلية للتشغيل المتزامن

• قناع البيانات (DM) لإخفاء بيانات الكتابة

(x16 له اثنان - واحد لكل بايت)

• أطوال رشقات قابلة للبرمجة (BL): 2 أو 4 أو 8

• تحديث تلقائي

- 64 مللي ثانية ، 8192 دورة (AIT)

- 16 مللي ثانية ، 8192 دورة (AAT)

• التحديث الذاتي (غير متوفر على أجهزة AAT)

• TSOP ذو الرصاص الأطول لتحسين الموثوقية (OCPL)

• 2.5VI / O (متوافق مع SSTL_2)

• دعم خيار الشحن التلقائي المتزامن

• ر

دعم تأمين RAS (t

راب = ر

التجمع الكونغولي من أجل الديمقراطية (RCD)

• AEC-Q100

• تقديم PPAP

• زمن استجابة 8D