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MT46V64M8P-5B L'IT: Potere IC 512Mbit 200MHz parallelo 700Ps 66-TSOP di memoria di J RDT

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MT46V64M8P-5B L'IT: Potere IC 512Mbit 200MHz parallelo 700Ps 66-TSOP di memoria di J RDT
Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: Micron Technology Inc.
Certificazione: ISO9001
Numero di modello: MT46V64M8P-5BIT:J
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: >=1pcs
Prezzo: request for need
Imballaggi particolari: Nastro & bobina; Tagli il nastro; Digi-bobina
Tempi di consegna: 2-3Days
Termini di pagamento: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000 San Giovanni d'Acri/acri per Day+pcs+1-2days
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Descrizione: IC DRAM 1GBIT PARALLELO 96FBGA Montaggio del tipo: Supporto di superficie
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C Pacchetto/caso: 66-TSSOP
Tensione - rifornimento: 2,5 V ~ 2,7 V Capacità di memoria: 512 MB
Tecnologia: SDRAM-DDR Stato del prodotto: Attivo
Numero del prodotto di base: MT46V64M8
Evidenziare:

Potere IC 700Ps di memoria della RDT

,

Potere IC 200MHz di memoria della RDT

,

MT46V64M8P-5BIT:J

Micron MT46V64M8P-5B l'IT: J SDRAM - la memoria IC 512Mbit della RDT parallelizza 200 megahertz 700 memoria Chip Vintage di ps 66-TSOP

DESCRIZIONE DI PRODOTTO

 

Numero del pezzo MT46V64M8P-5B l'IT: J è fabbricato dalla tecnologia inc del micron e si distribuisce da Stjk. Come uno dei distributori commerciali principali dei prodotti elettronici, portiamo molti componenti elettronici dai produttori superiori del mondo.

 

Per ulteriori informazioni su MT46V64M8P-5B l'IT: Le specifiche dettagliate di J, citazioni, i termini d'esecuzione, termini di pagamento e più, non esiti prego a contattarci. Per elaborare la vostra indagine, aggiunga prego la quantità MT46V64M8P-5B L'IT: J al vostro messaggio. Ora invii un email a stjkelec@hotmail.com per una citazione.

 

PROPRIETÀ DEL PRODOTTO

Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - RDT
Capacità di memoria
512Mbit
Organizzazione di memoria
64M x 8
Interfaccia di memoria
Parallelo
Frequenza di clock
200 megahertz
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina
15ns
Tempo di Access
700 ps
Tensione - rifornimento
2.5V ~ 2.7V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TUM)
Montaggio del tipo
Supporto di superficie
Pacchetto/caso
66-TSSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore
66-TSOP
Numero del prodotto di base
MT46V64M8

 

MT46V64M8P-5B L'IT: Potere IC 512Mbit 200MHz parallelo 700Ps 66-TSOP di memoria di J RDT 0

MT46V64M8P-5B L'IT: Potere IC 512Mbit 200MHz parallelo 700Ps 66-TSOP di memoria di J RDT 1

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MT46V64M8P-5B L'IT: Potere IC 512Mbit 200MHz parallelo 700Ps 66-TSOP di memoria di J RDT 3

Dettagli di contatto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona di contatto: Tom Guo

Telefono: +8613822899993

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