STR1P2UH7 MOSFET P-канальный 20 В, 0,087 Ом тип., 1,4 А STripFET H7 силовой MOSFET в корпусе SOT-23

Производитель: STMicroelectronics
Категория продукта: MOSFET
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SOT-23-3
Полярность транзистора: p-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 В
Id - непрерывный ток стока: 1.4 А
Rds(on) - сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 100 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: -8 В, +8 В
Vgs(th) - пороговое напряжение затвор-исток: 400 мВ
Qg - заряд затвора: 4.8 нК
Минимальная рабочая температура: -55 C
Максимальная рабочая температура: +150 C
Pd - рассеиваемая мощность: 350 мВт
Режим работы канала: Улучшение
Упаковка: Катушка
Упаковка: Обрезка ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: STMicroelectronics
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 19 нс
Высота: 1.4 мм
Длина: 3.04 мм
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 21 нс
Серия: S1P2UH7
Подкатегория: Транзисторы
Тип транзистора: 1 P-канальный силовой MOSFET
Типичное время задержки выключения: 40 нс
Типичное время задержки включения: 9 нс
Ширина: 1.75 мм
Вес единицы: 8 мг

SMCJ58CAHE3 57T.pdf