STR1P2UH7 MOSFET canal P 20 V, 0,087 Ohm typ., 1,4 A STripFET H7 Power MOSFET en boîtier SOT-23

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Italie
Nom de marque:	STMicroelectronics
Numéro de modèle:	STR1P2UH7

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor MOSFET	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SOT-23-3	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	Mosfets	Série:	S1P2UH7
Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	Résistance de polarisation SMD pour transistor , Résistance de polarisation SMT pour transistor

Fabricant : STMicroelectronics
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/boîtier : SOT-23-3
Polarité du transistor : canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 1,4 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 100 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 8 V, +8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 400 mV
Qg - Charge de grille : 4,8 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 350 mW
Mode de canal : Amélioration
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : STMicroelectronics
Configuration : Simple
Temps de descente : 19 ns
Hauteur : 1,4 mm
Longueur : 3,04 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 21 ns
Série : S1P2UH7
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 MOSFET de puissance à canal P
Temps de retard de fermeture typique : 40 ns
Temps de retard d'activation typique : 9 ns
Largeur : 1,75 mm
Poids unitaire : 8 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

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