STR1P2UH7 MOSFET P-kanaal 20 V, 0,087 Ohm typ., 1,4 A STripFET H7 vermogens-MOSFET in een SOT-23 behuizing

Fabrikant: STMicroelectronics
Productcategorie: MOSFET
Technologie: si
Installatiestijl: SMD/SMT
Verpakking/doos: SOT-23-3
Transistor polariteit: p-kanaal
Aantal kanalen: 1 Kanaal
Vds - drain-source doorslagspanning: 20 V
Id - continue drain stroom: 1.4a
Rds On - drain-source aan weerstand: 100 mohm
Vgs - gate-source spanning: -8 V, +8 V
Vgs th - gate-source drempelspanning: 400 mV
Qg - gate lading: 4.8 nc
Minimum bedrijfstemperatuur: -55 C
Maximum bedrijfstemperatuur: +150 C
Pd - vermogensdissipatie: 350 mW
Kanaalmodus: Verbetering
Verpakking: Reel
Verpakking: cuttape
Omkapseling: MouseReel
Handelsmerk: STMicroelectronics
Configuratie: Enkel
Daaltijd: 19 ns
Hoogte: 1.4 mm
Lengte: 3.04 mm
Producttype: MOSFET's
Stijgtijd: 21 ns
Serie: S1P2UH7
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 P-kanaal vermogens-MOSFET
Typische sluitvertragingstijd: 40 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 9 ns
Breedte: 1.75 mm
Eenheidsgewicht: 8 mg

SMCJ58CAHE3 57T.pdf