STR1P2UH7 MOSFET Canal P 20 V, 0,087 Ohm típ., 1,4 A STripFET H7 Power MOSFET em encapsulamento SOT-23

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Itália
Marca:	STMicroelectronics
Número do modelo:	STR1P2UH7

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	MOSFET	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SOT-23-3	Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto:	MOSFETS	Série:	S1P2UH7
Peso unitário:	magnésio 8
Destacar:	Resistor de polarização smd transistor , Resistor de polarização smt transistor

Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V
Id - corrente contínua de dreno: 1,4 A
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 100 mohms
Vgs - tensão gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - tensão de limiar gate-source: 400 mV
Qg - carga da comporta: 4,8 nc
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 350 mW
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de descida: 19 ns
Altura: 1,4 mm
Comprimento: 3,04 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 21 ns
Série: S1P2UH7
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 MOSFET de potência de canal P
Tempo típico de atraso de fechamento: 40 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 9 ns
Largura: 1,75 mm
Peso unitário: 8 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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