STR1P2UH7 MOSFET a canale P 20 V, 0,087 Ohm tip., 1,4 A STripFET H7 Power MOSFET in un package SOT-23

Dettagli:

Luogo di origine:	Italia
Marca:	STMicroelectronics
Numero di modello:	STR1P2UH7

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SOT-23-3	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	MOSFET	Serie:	S1P2UH7
Peso unitario:	8 mg
Evidenziare:	Resistore di polarizzazione smd transistor , Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: canale p
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 1,4 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 100 mohm
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 400 mV
Qg - Carica del gate: 4,8 nc
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 350 mW
Modalità canale: Miglioramento
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 19 ns
Altezza: 1,4 mm
Lunghezza: 3,04 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 21 ns
Serie: S1P2UH7
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 MOSFET di potenza a canale P
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 40 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 9 ns
Larghezza: 1,75 mm
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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