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STR1P2UH7 MOSFET P-Kanal 20 V, 0,087 Ohm typ., 1,4 A STripFET H7 Leistungs-MOSFET im SOT-23 Gehäuse

STR1P2UH7 MOSFET P-Kanal 20 V, 0,087 Ohm typ., 1,4 A STripFET H7 Leistungs-MOSFET im SOT-23 Gehäuse

Produktdetails:
Herkunftsort: Italien
Markenname: STMicroelectronics
Modellnummer: STR1P2UH7
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT SOT-23-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: MOSFET Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: SOT-23-3 Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Produkttyp: Mosfets Serie: S1P2UH7
Stückgewicht: mg 8
Hervorheben:

SMD-Vorwiderstand Transistor

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SMT-Vorwiderstand Transistor

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
Id - Dauer-Drainstrom: 1,4 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 100 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 400 mV
Qg - Gate-Ladung: 4,8 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 350 mW
Kanalmodus: Anreicherung
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: STMicroelectronics
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 19 ns
Höhe: 1,4 mm
Länge: 3,04 mm
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 21 ns
Serie: S1P2UH7
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Typische Abschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Breite: 1,75 mm
Einheitsgewicht: 8 mg

SMCJ58CAHE3 57T.pdf

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