STR1P2UH7 MOSFET canal P 20 V, 0,087 Ohm típ., 1,4 A STripFET H7 Power MOSFET en encapsulado SOT-23

Datos del producto:

Lugar de origen:	Italia
Nombre de la marca:	STMicroelectronics
Número de modelo:	STR1P2UH7

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado:	SMD/SMT SOT-23-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

Contacto Ahora Charle

Descripción detallada del producto

Producto:	MOSFET	Estilo de instalación:	SMD/SMT
Paquete/caja:	Sot-23-3	Encapsulación:	Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto:	Mosfets	Serie:	S1P2UH7
Peso unitario:	magnesio 8
Resaltar:	Resistor de polarización SMD para transistor , Resistor de polarización SMT para transistor

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 20 V
Id - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente en encendido: 100 mohmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 400 mV
Qg - Carga de puerta: 4.8 nc
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 350 mW
Modo de canal: Mejora
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: STMicroelectronics
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 19 ns
Altura: 1.4 mm
Longitud: 3.04 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 21 ns
Serie: S1P2UH7
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 MOSFET de potencia de canal P
Tiempo típico de retardo de cierre: 40 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 9 ns
Ancho: 1.75 mm
Peso unitario: 8 mg

etiqueta:

Persona de Contacto: Hefengxin

Teléfono: +8613652326683

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