STR1P2UH7 MOSFET P-καναλιού 20 V, 0,087 Ohm τυπ., 1,4 A STripFET H7 Power MOSFET σε πακέτο SOT-23

Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Κατηγορία προϊόντος: MOSFET
Τεχνολογία: si
Στυλ εγκατάστασης: SMD/SMT
Πακέτο/κουτί: SOT-23-3
Πολικότητα τρανζίστορ: p-channel
Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - τάση διάσπασης αποστράγγισης-πηγής: 20 V.
Id - συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 1.4a.
Rds On - αντίσταση αποστράγγισης-πηγής: 100mohms
Vgs - τάση πύλης-πηγής: -8 V, +8 V
Vgs th - τάση κατωφλίου πύλης-πηγής: 400 mV
Qg - φόρτιση πύλης: 4.8nc.
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150 C.
Pd - απαγωγή ισχύος: 350 mW
Λειτουργία καναλιού: Βελτίωση
Συσκευασία: Τροχός
Συσκευασία: κορδέλα
Ενθυλάκωση: MouseReel
Εμπορικό σήμα: STMicroelectronics
Διάταξη: Μονή
Χρόνος καθόδου: 19 ns
Ύψος: 1.4 mm
Μήκος: 3.04 mm
Τύπος προϊόντος: MOSFETs
Χρόνος ανόδου: 21 ns
Σειρά: S1P2UH7
Υποκατηγορία: Τρανζίστορ
Τύπος τρανζίστορ: 1 P-Channel Power MOSFET
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης κλεισίματος: 40 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 9 ns
Πλάτος: 1.75 mm
Βάρος μονάδας: 8mg

SMCJ58CAHE3 57T.pdf