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SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC 30V 4.0A 1.25W 47mオーム ロジックレベルFET

SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC 30V 4.0A 1.25W 47mオーム ロジックレベルFET

商品の詳細:
起源の場所: 米国
ブランド名: Vishay
モデル番号: SI2306BDS-T1-GE3
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: SOT-23-3 シリーズ: SI2
カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール 製品タイプ: モスフェット
単重: 8 mg
ハイライト:

SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET IC

,

SI2306BDS-T1-GE3 ロジックレベルFET

,

30V MOSFET IC

メーカー:Vishay
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー:si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:SOT-23-3
トランジスタ極性:Nチャネル
チャンネル数:1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧:30 V
Id - 連続ドレイン電流:3.16A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗:47 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間しきい値電圧:3 V
Qg - ゲート電荷:3 nC
最小動作温度:-55℃
最大動作温度:+150℃
Pd - 消費電力:750 mW
チャンネルモード:エンハンスメント
商標名:TrenchFET
パッケージ:リール
パッケージ:カットテープ
梱包:MouseReel
商標:Vishay/Siliconix
構成:シングル
立ち下がり時間:6 ns
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:12 ns
シリーズ:SI2
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ:1 Nチャネル
標準的なオフ遅延時間:14 ns
標準的なオン遅延時間:7 ns
部品番号エイリアス:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
単位重量:8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf

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