SI2306BDS-T1-GE3 Mosfet Ic 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Logic Level Fet

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id - Dauer-Drainstrom: 3,16 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 47 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 3 V
Qg - Gate-Ladung: 3 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 750 mW
Kanalmodus: Enhancement
Markenname: TrenchFET
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenzeichen: Vishay/Siliconix
Konfiguration: Einzel
Fallzeit: 6 ns
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 12 ns
Serie: SI2
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
Teilenummer-Alias: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Einheitsgewicht: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf