SI2306BDS-T1-GE3 Mosfet Ic 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Logic Level Fet

Produttore: Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/scatola: SOT-23-3
Polarità transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 30 V
Id - Corrente di drain continua: 3,16 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 47 mOhm
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3 V
Qg - Carica del gate: 3 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 750 mW
Modalità canale: Enhancement
Marchio: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Vishay/Siliconix
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 6 ns
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 12 ns
Serie: SI2
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 14 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 7 ns
Alias numero parte: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf