SI2306BDS-T1-GE3 Mosfet Ic 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Logic Level Fet

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/conditionnement : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 3,16 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 47 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Qg - Charge de grille : 3 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 750 mW
Mode de canal : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Bande coupée
Encapsulation : MouseReel
Marque : Vishay/Siliconix
Configuration : Simple
Temps de descente : 6 ns
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 12 ns
Série : SI2
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 Canal N
Temps de retard de fermeture typique : 14 ns
Temps de retard d'activation typique : 7 ns
Alias de numéro de pièce : SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Poids unitaire : 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf