SI2306BDS-T1-GE3 Mosfet Ic 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Logic Level Fet

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 30 V
Id - Corrente contínua de dreno: 3,16 A
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 47 mOhms
Vgs - Tensão gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-source: 3 V
Qg - Carga da comporta: 3 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 750 mW
Modo do canal: Aprimoramento
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Carretel
Embalagem: Corte em fita
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Vishay/Siliconix
Configuração: Único
Tempo de descida: 6 ns
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 12 ns
Série: SI2
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo típico de atraso de fechamento: 14 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 7 ns
Alias ​​do número da peça: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Peso unitário: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf