SI2306BDS-T1-GE3 Ic Mosfet 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Fet de Nivel Lógico

Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 30 V
Id - Corriente continua de drenaje: 3.16a
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 47 mOhms
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 3 V
Qg - Carga de puerta: 3 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 750 mW
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: TrenchFET
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Vishay/Siliconix
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 12 ns
Serie: SI2
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tiempo típico de retardo de cierre: 14 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 7 ns
Alias del número de pieza: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf