SI2306BDS-T1-GE3 Mosfet Ic 30V 4.0A 1.25W 47m Ohm Tingkat Logika Fet

Pabrikan: Vishay
Kategori Produk: MOSFET
Teknologi: si
Gaya Pemasangan: SMD/SMT
Paket/Kotak: SOT-23-3
Polaritas Transistor: N-Channel
Jumlah Kanal: 1 Kanal
Vds - Tegangan Breakdown Drain-Source: 30 V
Id - Arus Drain Kontinu: 3.16a
Rds On - Resistansi Drain-Source Saat Hidup: 47 mOhms
Vgs - Tegangan Gate-Source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tegangan Ambang Gate-Source: 3 V
Qg - Muatan Gate: 3 nC
Suhu Operasi Minimum: -55 C
Suhu Operasi Maksimum: +150 C
Pd - Disipasi Daya: 750 mW
Mode Kanal: Peningkatan
Nama Dagang: TrenchFET
Paket: Gulungan
Paket: Cuttape
Enkapsulasi: MouseReel
Merek Dagang: Vishay/Siliconix
Konfigurasi: Tunggal
Waktu Turun: 6 ns
Jenis Produk: MOSFET
Waktu Naik: 12 ns
Seri: SI2
Subkategori: Transistor
Jenis Transistor: 1 N-Channel
Waktu Tunda Penutupan Khas: 14 ns
Waktu Tunda Hidup Khas: 7 ns
Alias Nomor Komponen: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Berat Satuan: 8 mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf