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MMDT2222A-7 Transistor bipolare - Transistor a giunzione bipolare (BJT) 40V 200mW

MMDT2222A-7 Transistor bipolare - Transistor a giunzione bipolare (BJT) 40V 200mW

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: Diodes Incorporated
Numero di modello: MMDT2222A-7-F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-363-6
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-363-6 Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari Serie: MMDT22
Peso unitario: 6 mg
Evidenziare:

Transistor a giunzione bipolare (BJT) durevole

,

Transistor a giunzione bipolare (BJT) robusto

Produttore: Diodes Incorporated
Categoria prodotto: transistor bipolare a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-363-6
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Duale
Corrente massima del collettore CC: 600 mA
Tensione massima collettore-emettitore VCEO: 40 V
Tensione collettore-base VCBO: 75 V
Tensione base-emettitore VEBO: 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1 V
Pd - dissipazione di potenza: 200 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda ft: 300 MHz
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Serie: MMDT22
Confezione: Bobina
Confezione: nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Corrente continua del collettore: 600 mA
Guadagno di corrente continua massimo hFE: 300
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2,2 mm
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 1,35 mm
Peso unitario: 6 mg

MMDT2222A-7 .pdf

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Persona di contatto: Hefengxin

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