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MMDT2222A-7 Bipolartransistor - Bipolartransistor (BJT) 40V 200mW

MMDT2222A-7 Bipolartransistor - Bipolartransistor (BJT) 40V 200mW

Produktdetails:
Herkunftsort: Vereinigte Staaten
Markenname: Diodes Incorporated
Modellnummer: Die Daten werden von den zuständigen Behörden des Mitgliedstaats übermittelt.
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT SOT-363-6
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT) Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: SOT-363-6 Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Produkttyp: BJT - Bipolare Transistoren Serie: MMDT22
Stückgewicht: 6 mg
Hervorheben:

Langlebiger Bipolartransistor

,

Robuster Bipolartransistor

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT)
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-363-6
Transistorpolarität: NPN
Konfiguration: Dual
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 600 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 75 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1 V
Pd - Verlustleistung: 200 mW
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 300 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: MMDT22
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Dauer-Kollektorstrom: 600 mA
Maximaler Gleichstromverstärkung hFE: 300
Höhe: 1 mm
Länge: 2,2 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolartransistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 1,35 mm
Einheitsgewicht: 6 mg

MMDT2222A-7 .pdf

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: Hefengxin

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